型號 : NDT455N
封裝 : SOT-223
簡述 : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
包裝 : 全新品 壹包1入
● 高密度電池設計極低
● 高功率和電流處理能力在一種廣泛使用的表面貼裝封裝
概述
這些N溝道邏輯電平增強型發電場場效應晶體管都採用飛兆半導體專有的,高生產電池密度,DMOS技術。這非常高密度的過程特別是針對減少通態電阻,提供出色的開關性能,並承受高能量脈衝在雪崩和減刑模式。這些設備特別適合於低壓應用,如DC電動機控制和DC / DC轉換中快速開關,低在線需要的功率損耗,以及抗瞬變