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• 增強型模式• 高速 : T f=0.09μs(典型值)(我Ç=60A)• 低飽和電壓 : V CE(SAT)=2.3V(典型值)(我Ç=60A)• FRD包括發射極和集電極之間 商品規格 型號 : GT60M323封裝 : TO-3P簡述 : 絕緣柵雙極型 矽N溝道 晶體管 IC 芯片包裝 : 全新品 壹包1入
產品上架時間 2012 六月 05 週二.