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9N90C 900V N-Channel MOSFET
Features• 9A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 45 nC)• Low Crss ( typical 14pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
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產品上架時間 2010 四月 30 週五.